都說半導體制程微縮開始進入瓶頸期,不過在單晶硅難以繼續(xù)微縮的時候,人們開始尋求新的替代產(chǎn)品。碳納米管是替代硅的候選納米材料之一,而碳納米管晶體管的主要技術(shù)挑戰(zhàn)過去幾年已被陸續(xù)得到解決,有可能在不久的將來走到我們面前。北京大學的科學家開發(fā)出柵長5納米的碳納米管場效應晶體管,聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。
與傳統(tǒng)的硅基互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管相比,碳納米管晶體管的柵電容更小,與相同尺寸下的碳納米管開關(guān)速度要比硅基互補金屬氧化物晶體管快上很多。10納米碳納米管CMOS柵電容導致的延遲大約為70飛秒,僅為英特爾14納米硅基CMOS的三分之一。碳納米管電子產(chǎn)品有有可能在2022年取代硅基CMOS,成為重要的半導體產(chǎn)品。